一、项目名称
　　砷化鎵(GaAs)衬底单晶及抛光片产业化

　　二、项目建设的必要性
　　1．半绝缘砷化鎵（SI-GaAs）衬底抛光片。全球高速发展的光纤通讯、国际互连网络、移动通讯、为了迅速处理每年以三倍速度增长的海量信息、要求向高频率、高带宽以及高传输速度方向发展。以第三代手机（FOMA,自由移动微型多媒体数字处理终端）、汽车防撞雷达、GPS全球导航及定位系统为例，都离不开砷化鎵(GaAs)芯片。在未来十年内，砷化稼GaAs集成电路市场的增长率将达到32％，是同期硅（si）集成电路(IC) 增长率的一倍。到2003年手机用GaAs集成电路市场总值将达到165亿美元，SI- GaAs衬底单晶抛光片约占该市场份额的10％，为16.5亿美元，2年增长2倍。随着SI- GaAs外延片和IC芯片生产线的迅速发展，需要大量大直径、高质量、低成本、价格性能比较硅材料有明显优势的Φ4″-Φ6″GaAs衬底抛光片材料。目前市场供不应求，供需严重脱节。

　　2．半导体GaAs(掺杂)单晶抛光片。光通讯有源器件（LD）,半导体照明灯（LED）和高效太阳能电池的迅速发展，带动半导体GaAs 单晶抛光片的市场需求。到2003年大陆光电子器件需要半导体GaAs衬底片的市场份额可达1500万美元，到2005年可超过1亿美元。到2010年全世界光电子器材市场可达4000亿美元，半导体GaAs衬底单晶及抛光片的份额约占12%，可达近500亿美元。
GaAs单晶衬底及抛光片处于GaAs产业的上游，是中游外延层和注入层的衬底，用途十分广泛，是21世纪高科技产业长期稳定的关键性基础材料，发展期20年以上。

　　三、项目建设规模及主要建设内容
　　一期计划生产半绝缘砷化镓（SI-GaAs）单晶以及Φ4″SI-GaAs抛光片，年生产能力达到4.5万片。二期年产Φ4″/Φ6″GaAs单晶及抛光片28万片并有自己产业化所需的完整、实用工艺和配套技术。
四、工艺技术及主要设备选型
　　SI-GaAs抛光片技术可分为三部分,即晶体生长、晶片加工、晶片清洗 。
主要设备：切片机、磨片机、抛光机、切断机、滚圆机、倒角机、清洗机、纯水装置、液氩槽、液氩罐、测试仪器等。

　　五、项目总投资及资金筹措方案；项目经济效益预测
　　一期总投资0.4亿元人民币,达产后实现销售额1亿元人民币,毛利0.5亿元人民币;二期投资额达4亿元人民币,达产后实现销售额10亿人民币,毛利5.5亿元人民币。资金来源采用各方合资合作的形式，以加快项目进程。

　　六、项目前期工作情况
　　目前业主已与技术提供方达成技术合作意向，并与三峡开发总公司就项目用电和其它配套事宜初步达成一致。